片式多層陶瓷電容器(MLCC)是廣泛應(yīng)用的新一代電容產(chǎn)品，是電子信息產(chǎn)品不可或缺的基本組件之一。與傳統(tǒng)電容相比具有體積小、容量大、效率高、成本低等優(yōu)勢。研究機(jī)構(gòu)Paumanok的數(shù)據(jù)顯示，MLCC已經(jīng)成為終端產(chǎn)品使用的最主要電容器門類，產(chǎn)值占電容器總產(chǎn)值的42%。
    MLCC的優(yōu)點在于耐高電壓和高熱、運作溫度范圍廣，能夠小型化、片式化，在電子產(chǎn)品日益小型化以及多功能化的趨勢下，MLCC成為電容器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于移動通信、個人電腦、汽車電子、主板、顯示器和平板電視電子設(shè)備中，隨著這些電子產(chǎn)品緊湊的設(shè)計，小尺寸是MLCC技術(shù)發(fā)展的一個主要方向。

中國MLCC行業(yè)發(fā)展回顧

    中國近30年，MLCC的發(fā)展分成了四個階段。
    第一階段：20世紀(jì)80年代中期，原電子工業(yè)部下屬715廠、798廠以及若干省市直屬企業(yè)先后從美國引進(jìn)13條MLC生產(chǎn)線，標(biāo)志著中國MLC生產(chǎn)核心技術(shù)從早期軋膜成型工藝過渡到現(xiàn)代陶瓷介質(zhì)薄膜流延工藝，在產(chǎn)品小型化和高可靠性方面取得實質(zhì)性突破，并于1987年成立了以引進(jìn)生產(chǎn)線為組成單位的MLC行業(yè)聯(lián)合體。其中有代表性的是1985年風(fēng)華在國內(nèi)率先從美國引進(jìn)具有當(dāng)時國際領(lǐng)先水平的年產(chǎn)1億只片式多層陶瓷電容器生產(chǎn)線和技術(shù)，吹響了中國片式多層陶瓷電容器追趕世界先進(jìn)水平的號角，大大縮短了中國新型電子元器件與國外發(fā)達(dá)國家的差距，為中國新型電子元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展打下了基礎(chǔ)。
    第二階段：20世紀(jì)90年代前期，以上述企業(yè)與后續(xù)進(jìn)入的達(dá)利凱、特威等外資企業(yè)間相互兼并整合，以及風(fēng)華集團(tuán)的脫穎而出為標(biāo)志。1994年，風(fēng)華攻克MLC低溫?zé)Y(jié)高性能Y5V瓷料這一國際性技術(shù)難關(guān)，產(chǎn)品總體性能指標(biāo)達(dá)到世界先進(jìn)水平，不僅填補了國內(nèi)空白，而且產(chǎn)品以其高介、低燒、高可靠及低成本等獨特優(yōu)勢打入國際市場，結(jié)束了中國電子陶瓷材料長期依賴進(jìn)口的局面，其間，三層端電極電鍍工藝的突破，實現(xiàn)了引線式多層陶瓷電容器向完全表面貼裝化的片式多層陶瓷電容器的過渡。
    第三階段：20世紀(jì)90年代中后期，日系大型MLCC制造企業(yè)全面搶灘中國市場，先后建立北京村田、上海京瓷、東莞太陽誘電等合資與獨資企業(yè)。以天津三星電機(jī)為代表的韓資企業(yè)也開始成為一只新興力量。在這期間，克服了困擾十余年的可靠性缺陷，以賤金屬電極(BME)核心技術(shù)為基礎(chǔ)的低成本MLCC開始進(jìn)入商業(yè)實用化。
    第四階段：新舊世紀(jì)之交，飛利浦在產(chǎn)業(yè)頂峰放棄出讓被動元件事業(yè)部，拉開了中國臺灣地區(qū)MLCC業(yè)全面普及BME技術(shù)的序幕。國巨、華新、達(dá)方、天揚等臺系企業(yè)的全面崛起，徹底打破了日系企業(yè)在BME制造技術(shù)的壟斷，高性價比MLCC為IT與AV產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級和低成本化作出了重大貢獻(xiàn)。同時，臺企無一例外地開始將從后至前的各道工序制程不斷向大陸工廠轉(zhuǎn)移。
    業(yè)界新軍宇陽科技的優(yōu)勢表現(xiàn)在電金屬化，在材料設(shè)計和工藝方面進(jìn)行技術(shù)上的開發(fā)，公司在極短時間內(nèi)完成了超薄流延工藝與BME核心技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，取得亞微米材料與薄膜流延加工技術(shù)、BME微型MLCC材料體系與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計、還原性氣氛燒結(jié)工藝等關(guān)鍵技術(shù)的重大突破。2002年宇陽科技完成了0402BME微型MLCC，該項目填補了國內(nèi)空白。2004年3月，又率先實現(xiàn)0402微型片式多層陶瓷電容器在國內(nèi)的規(guī)?；慨a(chǎn)。0402BME微型MLCC超過日本同行的水平，近幾年我國在這一領(lǐng)域已有明顯進(jìn)步。宇陽科技還進(jìn)一步研發(fā)了高容量微型MLCC，最新的X5R-0402-105已開發(fā)成功，介質(zhì)厚度是2微米，超微型化的0201MLCC即將通過科技成果鑒定。業(yè)界新軍宇陽科技在MLCC微型化、高可靠、低成本制造技術(shù)領(lǐng)域迅速占領(lǐng)國內(nèi)領(lǐng)先地位。與此同時，風(fēng)華、三環(huán)等國內(nèi)傳統(tǒng)大型元器件企業(yè)集團(tuán)也相繼完成BME-MLCC的技術(shù)改造和產(chǎn)業(yè)化。成為MLCC主流產(chǎn)品本地化制造供應(yīng)源“三套馬車”，與內(nèi)地企業(yè)兼并改制后保留的軍工及非標(biāo)特殊品種供應(yīng)點，共同構(gòu)成了國內(nèi)MLCC產(chǎn)業(yè)界的新格局。

MLCC產(chǎn)品主要技術(shù)發(fā)展趨勢

    MLCC技術(shù)的發(fā)展歷程，充分體現(xiàn)了一個從簡單到復(fù)雜、低水平向高科技系統(tǒng)集成、從不環(huán)保到環(huán)保的發(fā)展趨勢，是電子信息產(chǎn)品飛速展的一個縮影。其中采用鎳、銅等賤金屬代替銀/鈀貴金屬作為內(nèi)電極材料(即BME技術(shù))，是MLCC技術(shù)發(fā)展的一個重要里程碑，雖然這對MLCC的材料技術(shù)、共燒技術(shù)(采用N2氣氛保護(hù)燒結(jié))、設(shè)備技術(shù)提出了很高的要求，但賤金屬工藝可大幅度降低原材料成本，可以使生產(chǎn)成本大幅調(diào)低30%-50%左右，同時滿足了當(dāng)今日益苛刻的環(huán)保要求。
    從產(chǎn)品生產(chǎn)發(fā)展上看，雖然小型化MLCC可以做到0201，甚至1005，但由于受到技術(shù)的限制，電容容量不高,需求方面主要集中在高端產(chǎn)品，整體出貨量不高，成本壓力也比較大。目前在中國市場，市場主流是0402產(chǎn)品，現(xiàn)在產(chǎn)品還處于0603向0402過渡的階段。
    在整體規(guī)格尺寸不斷減小的同時，一些MLCC廠商也在努力降低產(chǎn)品厚度。以06031μ16V規(guī)格為例，宇陽已經(jīng)可以做到0.55mm，與典型的0.8mm相比下降了30％。日本京瓷也針對于芯片下的位置和存儲卡應(yīng)用推出了超薄型MLCC――LT系列，其中0402規(guī)格的最大厚度只有0.356mm。
    從生產(chǎn)工藝上看，制作超薄陶瓷層目前主要面臨兩方面的困難：其一是可靠性，其二是加直流電壓后的偏置情況。陶瓷電容的核心技術(shù)是介電層的厚度，薄介質(zhì)層是實現(xiàn)高容量的主要因素。這就造成了介電層厚度與電容容量之間的矛盾，針對這方面難點，各大生產(chǎn)廠商解決辦法是采用更精細(xì)、更均勻的陶瓷材料、細(xì)薄平滑的內(nèi)部電極以及改善MLCC制作工藝。

   從近年來的市場發(fā)展來看，陶瓷電容正越來越多地進(jìn)入高電容領(lǐng)域，目前占主導(dǎo)地位的是10uF的陶瓷電容，未來將更多地出現(xiàn)100uF的產(chǎn)品。尺寸已達(dá)到0201-1005，是螞蟻的十分之一大小，所以它已經(jīng)部分取代片式鋁電解電容和片式鉭電容器，且比它們具有更低的損耗值和更好的可靠性。